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关于RAM类型的分析

本文系统总结了常用随机存取存储器 RAM  (本文共2页) 阅读全文>>

《核电子学与探测技术》2000年04期
核电子学与探测技术

静态随机存取存储器质子单粒子效应实验研究

描述了测量静态随机存取存储器质子单粒子翻转截面的实验方法。采用金箔散射法可以降低加速器质子束流五六个量级 ,从而满足半导体器件质子单粒子效应的要求。研制的弱流质子束流测量系统和建立的注量均匀...  (本文共5页) 阅读全文>>

《中国信息技术教育》2018年05期
中国信息技术教育

随机存取存储器的直观体验

当人们看到"随机存取存储器"或者是"RAM"这样的词语时,头脑中浮现出来的画面是怎样的呢?也许是如图1所示的样子。这当然没有错,如果要为自己的计算机添加内存...  (本文共3页) 阅读全文>>

《中国计量学院学报》2010年03期
中国计量学院学报

随机存取存储器故障分析及测试方案实现

通过随机存取存储器(RAM)物理电路缺陷分析,建立了RAM故障模型.在RAM故障模型的基础上,分析了传统RAM测试算法MARCH-C算法的不足和缺陷...  (本文共6页) 阅读全文>>

上海交通大学
上海交通大学

基于碳纳米管的静态随机存取存储器的跳跃测试

随着科技的进步,人们对高性能计算和大数据处理的需求与日俱增。这些计算需求在过去很大程度上依赖于半导体行业的发展。半导体行业著名的摩尔定律:每隔18个月晶体管尺寸缩小一半,芯片集成密度增加一倍,处理器的性能和能耗相应的提升2倍。然而,半导体产业界近来频频发声,认为摩尔定律已近终结。碳纳米管作为典型量子材料,拥有良好的电学特性。得益于良好的功耗和噪声容限,基于碳纳米管场效应晶体管(CNFET)的静态随机存储器已经成为替代传统CMOS晶体管的理想选择。然而,由于碳纳米管制造工艺上的波动,碳纳米管在生长时可能会具有金属性或者半导体性(m-CNT和s-CNT),在金属性CNT的生长方向上就会呈现出连续的错误单元。基于这种现象,我们提出一种测试算法,通过跳跃式,而不是行进式方式对一些单元进行连续的读写操作来检测出金属性CNT。这种方法极大地减少了测试开销。  (本文共45页) 本文目录 | 阅读全文>>

《物理学报》2020年13期
物理学报

纳米级静态随机存取存储器的α粒子软错误机理研究

本文使用镅-241作为α粒子放射源,开展65和90 nm静态随机存取存储器软错误机理研究,结合反向分析、TRIM和CREME-MC蒙特卡罗仿真揭示α粒子在器件中的能量输运过程、沉积能量谱和截面特性.结果表明, 65 nm器件的软错误敏感性远高于90 nm器件,未发现翻转极性.根据西藏羊八井地区4300 m海拔的实时测量软错误率、热中子敏感性和α粒子软错误率,演算...  (本文共9页) 阅读全文>>