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电化学刻蚀半导体InP纳米多孔阵列及机理研究

用电化学方法制备纳米多孔阵列具有操作简单、成本低廉和低损伤等优点,生长的孔的尺寸可以在纳米和微米量级之间变化。早在1990年,人们就已经用这种方法制备出了多孔Si。在它的激励下,越来越多的目光也开始转向了Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体,因为他们具有很高的载流子迁移率和特殊的光学性质等。但是刻蚀Ⅲ-Ⅴ化合物半导体要比Si复杂的多,至今还没有完全理解其形成机理。本文选择半导体InP作为研究对象,因为InP具有很多优于GaAs的性质。实验发现在不同条件下可以产生不同的多孔结构,可以预见,如果刻蚀条件选择适当,就会形成规则的纳米多孔阵列。本文发现大多数刻蚀后的样品,大孔层的上面往往被一层微孔覆盖,这种微孔的孔径要比大孔小的多。本文对样品表面预留划痕并进行刻蚀,发现刻蚀后,有划痕的部分比完整样品表面优先出现大孔。文中对这种情况进行了分析,表明表面预处理对刻蚀初始位置的影响很大;还发现在一定条件下形成的孔壁存在侧蚀现象,某些孔壁还表现出:随着孔深增加  (本文共63页) 本文目录 | 阅读全文>>

《物理通报》2017年10期
物理通报

一种新型的多用途发光量子点——InP

InP量子点是一种典型的Ⅲ-V族半导体纳米材料,由于其在禁带宽度、电子迁移率等方面的独特性能而...  (本文共2页) 阅读全文>>

《无机材料学报》2016年10期
无机材料学报

InP量子点的掺杂及其光学性能

采用原位成核掺杂法合成了Li、Zn金属离子掺杂的InP量子点(分别记为Li:InP和Zn:InP),并研究了掺杂剂对量子点的结构、尺寸和光学性能的影响。研究结果表明,Li~+、Zn~(2+)掺杂的InP量子点结晶度较高且尺寸均匀。虽然Li~+掺杂未引起InP...  (本文共7页) 阅读全文>>

《电子元器件应用》2002年11期
电子元器件应用

超高速化合物半导体器件(3) InP基高电子迁移率晶体管

以高电子迁移率晶体管、异质结双极晶体管和微波...  (本文共3页) 阅读全文>>

《物理化学学报》1999年04期
物理化学学报

InP(110)解理面的能带弯曲

用XPS测得了真空解理后InP样品(110)表面能带弯曲的动态过程,并对引起InP表面能带弯曲的可能...  (本文共3;页) 阅读全文>>

华中科技大学
华中科技大学

InP纳米晶浮栅型存储器制备与仿真研究

随着半导体工艺节点的推进与器件特征尺寸的减小,传统浮栅存储器面临着器件漏电增大、电荷泄露严重和可靠性下降等问题。采用分立式电荷存储结构的纳米晶作为电荷存储层,纳米晶浮栅型存储器具有低工作电压、高擦写速度以及与CMOS工艺兼容等特点,得到了广泛的研究。本论文将结合理论仿真与实验制备两方面对InP纳米晶浮栅存储器进行研究。理论方面,根据纳米晶浮栅型存储器的电荷输运与隧穿机制,结合电子直接隧穿电流与阈值电压偏移的关系,建立了单层纳米晶浮栅存储器的保持特性模型。首先分别模拟了以Si、Ge和InP三种材料作为纳米晶存储层的器件保持特性曲线,仿真验证实验所采用的InP纳米晶的性能优势。并对InP纳米晶的密度与覆盖率、隧穿层材料与厚度等影响保持特性的因素进行了模拟。结果表明,相比传统纳米晶材料Si和Ge,InP由于其较窄的禁带宽度与更大的势垒高度,可以有效改善器件的电荷保持特性,并且更高的纳米晶覆盖率可以有效改善器件的保持特性。但是由于尺寸与...  (本文共74页) 本文目录 | 阅读全文>>