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高速低功耗双端口CMOS SRAM的设计

随着1947年晶体管在Bell实验室的发明,微电子技术发展异常迅速,目前已进入超大规模集成电路时代。在我国,作为信息产业基础的微电子技术,在生产和科研方面的速度已大大加快,已深入渗透到经济、生活的方方面面。从移动电话、图像处理、语音处理合成、电脑到数码相机等数字化产品,无不留有微电子技术的痕迹。静态存储器(SRAM),作为数字化大家庭中的一员,近年来得到了长足的发展。它作为半导体存储器中不可缺的一类产品,在计算机,通信等高速速据交换系统中得到了广泛的应用。据资料显示,目前存储器市场要占整个半导体市场的35%,而静态存储器则占各种存储器总额的15%左右,并且随着技术的改进和工艺的进步,每年以10%的速度递增。因此静态随机存储器作为IC领域中极为重要的一部分,对其进行长期不懈的研究开发具有深远的意义。双端口静态存储器,它采用两套独立的地址、数据和控制总线,同时允许两个独立的实体(如两个处理器)对其进行存取,与单端口的存储器相比,双端  (本文共69页) 本文目录 | 阅读全文>>

安徽大学
安徽大学

55nm高速低功耗双端口寄存器文件的研究

寄存器文件(Register File)作为一种重要的存储器,广泛地应用于高速核心内存和SOC片上系统。随着半导体工艺进入纳米阶段,集成电路工艺尺寸不断缩小,芯片集成密度愈来愈高,对寄存器文件的发展也提出了高性能、大容量的高要求。针对应用领域在深亚微米工艺条件下对寄存器文件提出的高访问速度和大容量的高需求,本文采用SMIC55nmG工艺设计了一款访问速度快、高容量的1024x32bits的双端口寄存器文件。在最差工艺角条件下(SS CORNER VDD=1.08V, T=125℃),通过Hsim、Hspice和XPS仿真,仿真结果为:数据存取时间小于1.1ns,动态功耗为1.6mW,静态功耗为0.000438mW,各项设计参数均有不同程度超出预期。且流片结果显示,同65nm双端口寄存器文件的数据存取时间相比,本论文所改进设计的55nnm双端口寄存器文件的数据存取时间更具有弹性、灵活性,即相同容量时,55nm的双端口寄存器文件的数...  (本文共82页) 本文目录 | 阅读全文>>

《核技术》2012年08期
核技术

不同偏置下CMOS SRAM辐射损伤效应

通过对CMOS SRAM器件在7种不同的偏置条件(包括静态偏置和动态读写偏置)下进行电离辐射总剂量效应的研究,获得了不同偏置条件下SRAM器件功耗电流和功...  (本文共5页) 阅读全文>>

《半导体学报》2000年02期
半导体学报

CMOS SRAM单粒子翻转效应的解析分析

分析了影响CMOSSRAM 单粒子翻转效应的时间因素,指出不能仅根据临界电荷来判断发生单粒子翻转效应与否,必须考虑器件的恢复时间、反馈时间和...  (本文共5页) 阅读全文>>

《半导体技术》1970年20期
半导体技术

CMOS SRAM存储单元研究

阐述了采用1.0μmCMOS技术制作的256kSRAM的存储单元。论述了存储单元的性能在CMO...  (本文共4页) 阅读全文>>

《航天器环境工程》2014年02期
航天器环境工程

CMOS SRAM器件单粒子锁定敏感区的脉冲激光定位试验研究

利用脉冲激光定位成像系统,对CMOS SRAM K6R4016V1D器件开展了单粒子锁定效应(SEL)敏感区定位的试验研究。...  (本文共4页) 阅读全文>>

《原子能科学技术》2010年02期
原子能科学技术

特征工艺尺寸对CMOS SRAM抗单粒子翻转性能的影响

采用TCAD工艺模拟工具按照等比例缩小规则构建了从亚微米到超深亚微米级7种不同特征尺寸的MOS晶体管,计算了由这些晶体管组成的静态随机存储器(SRAM)单粒子翻转的临界电荷Qcrit、LET阈值(LETt...  (本文共5页) 阅读全文>>