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基于SiGe技术的5GHz频段射频接收机前端研究

随着集成电路产业的发展,RFIC(射频集成电路)设计正在步入SoC(片上系统)芯片的时代。无线终端市场的蓬勃发展促使RFIC(射频集成电路)设计以低成本和高集成度为目标,这促进了零中频体系结构成为了单片RFIC收发芯片设计中的首选结构。特别是在5-6GHz(U-NII波段)波段应用的无线终端中更是显得突出(例如:高速无线局域网WLAN-802.11a)。快速发展的RFIC工艺技术极大地促进了片上无源器件(特别是片上电感)的性能,也因此打开了RFIC单片化设计的大门。然而,在实际设计中,仍然要面对零中频体系结构很多自身固有的问题,比如:二阶失真、闪烁噪声和LO(本振)自混频造成的DC-offset(直流偏移)问题等等。因此零中频接收机相关的问题成为了现今RFIC研究领域的一大热点。在诸多工艺中,SiGe BiCMOS工艺技术的进步为以上问题提供了新的解决途径。SiGe BiCMOS技术与成熟的Si工艺技术相兼容,并且可以使用现有的  (本文共84页) 本文目录 | 阅读全文>>

《微电子学》2018年04期
微电子学

SiGe集成电路工艺技术现状及发展趋势

介绍了基于SiGe材料的集成电路工艺技术概况,包括SiGe HBT器件结构、SiGe HBT特色双极工艺...  (本文共7页) 阅读全文>>

《Chinese Physics B》2017年08期
Chinese Physics B

An investigation of ionizing radiation damage in different SiGe processes

Different SiGe processes and device designs are the critical influences of ionizing radiation damage. Based on the different ionizing radiation damage in SiGe HBTs fabricated by Huajie and an IBM SiGe process, quantitatively numerical simulation of ionizing radiation damage was carried out to explicate the distribution of radiation-induced charges ...  (本文共6页) 阅读全文>>

《材料导报》2007年07期
材料导报

SiGe热电材料的发展与展望

热电材料是利用热电效应将电能和热能直接相互转换的功能材料,在热电发电和热电制冷领域都有巨大的...  (本文共4页) 阅读全文>>

《Tsinghua Science and Technology》2007年06期
Tsinghua Science and Technology

Growth of Ge Layer on Relaxed Ge-Rich SiGe by Ultrahigh Vacuum Chemical Vapor Deposition

The paper describes the growth of a germanium (Ge) film on a thin relaxed Ge-rich SiGe buffer. The thin Ge-rich SiGe buffer layer was achieved through a combination of ultrahigh vacuum chemical vapor deposition (UHVCVD) SiGe epitaxial growth and SiGe oxidation. A lower Ge content strained SiGe layer was first grown on the Si (001) subs...  (本文共5页) 阅读全文>>

《Journal of Electronics(China)》2002年01期
Journal of Electronics(China)

DESIGN AND FABRICATION OF Si/SiGe PMOSFETs

Based on theoretical analysis and computer-aided simulation, optimized design prin-ciples for Si/SiGe PMOSFET are given in this paper, which include choice of gate materials,determinat...  (本文共5页) 阅读全文>>