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带隙变窄

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·固体物理学大辞典

半导体由于温度或掺杂浓度的变化,使得价带与导带之间的能隙变小的现象称作带隙变窄.由不同温度下Ge、Si等半导体吸收光谱的分析表明,半导体的带隙Eg是随温度的升高而减小的,其关系可表为Eg (T)=Eg(0)-αT2/(T+β),式中Eg(0)为0K下半导体的带隙,α、β为常数,对于Ge、Si和GaAs等几种重要的半导体、其Eg(0)、α和β的数据列于表中.由上式可见在T B的较高温度下,半导体的带隙Eg随温度近似于线性变化.材料Eg(0)(eV)α(eV·T-1)β(K)Ge0... (本文共536字) 阅读全文>>

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掺杂浓度对p-GaAs的带隙变窄的影响

物理学报
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对于掺杂GaAs带隙随掺杂浓度的变化已有一些研究“-“’.带隙变空的研究在理论上和实际应用上都很重要,掺杂半导体带隙变窄是载流子与杂质离子相互作用和多体效应的结果. 由Casev和Stern“‘理论(不包括多体效应)与实验数据拟合给出P-GaAa 带隙变窄与掺杂浓度之间的经验公式 凸E。—一1.6 X 10-y‘’.(l) 在已有的文献中都将带隙变窄笼统地描述为导带向下移,价带向上移.但有关导带向下移多少,价带向上移多少,杂质能级相对价带和导爷如何移动等未见报道.本文中对(110)方向掺Be的G。As光致荧光谱的研究明确地回答了这个问题. 用国产IV型分于甭外延设备生长5个样品,其中1个为不掺杂样品,4个为掺Be样品,并分别用霍耳法和化学口-厂法测量掺Be样品的掺杂浓度(用化学口-V法未能测出轻掺杂样品的掺杂浓度).用化学C-V法测量的浓度比用霍耳法测量的浓度低. 对5个样品分别在4。2和77K下测量它们的光致荧光谱.荧光谱是用... (本文共4页) 阅读全文>>

权威出处: 《物理学报》

氧空穴导致二氧化钒低温相带隙变窄

物理学报
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1引言当温度在68?C时,二氧化钒(VO2)展现出从四方结构金属R相到单斜结构绝缘M1相的金属绝缘体转变[1].常温下M1是非磁性的绝缘体[2],带隙为0.67 e V[3],而R是金属[4].除了M1相和R相,VO2还有单斜绝缘的M2相[5-8].特别是最近实验发现了室温附近单斜结构的金属相[9,10],这个相和超快实验中发现的单斜金属相可能相关[11,12];理论上也发现了单斜铁磁金属相[13].理论上,VO2可以作为理解绝缘体金属转变的模型系统[14-18].由于VO2在室温附近的超快转变属性,使得VO2有着广泛的应用,比如在记忆材料、光电材料和记忆窗[19-27]等方面的应用.这也是从发现至今半个世纪以来VO2仍然是材料学科中研究热点的一个重要原因.具备一定能量的光照能够使得超快转变材料VO2发生相转变[28].在低温M1相(小于68?C)中,VO2具有单斜结构,V—V键曲折变化有长短键之分,并形成二聚态.但在高温R相(... (本文共6页) 阅读全文>>

权威出处: 《物理学报》