半导体由于温度或掺杂浓度的变化,使得价带与导带之间的能隙变小的现象称作带隙变窄.由不同温度下Ge、Si等半导体吸收光谱的分析表明,半导体的带隙Eg是随温度的升高而减小的,其关系可表为Eg (T)=Eg(0)-αT2/(T+β),式中Eg(0)为0K下半导体的... [详细]

《固体物理学大辞典》 字数(601)

bandgap materials... [详细]

《新英汉·汉英电力工程技术词典》 字数(21)

晶体中最主要的光吸收过程对应激发电子从价带到导带的跃迁,伴随这种跃迁的光吸收称为晶体的本征吸收或基本吸收.在本征吸收带的长波端,吸收系数在十分之几电子伏特的能量范围内,从105~106 cm-1陡然下降到几个cm-1.这一本征吸收带长波端的... [详细]

《固体物理学大辞典》 字数(668)

绝大多数非晶态半导体在本征吸收边附近吸收曲线的形状是类似的,如图所示. 曲线可以分为三个区域:(A )幂指数区,吸收系数α104cm-1;(B)e指数区,又称为Urbach边,吸收系数变化4至5个数量级;(C)弱吸收区.非晶半导体由于能带结构的复杂性,带隙... [详细]

《固体物理学大辞典》 字数(757)

导带底和价带顶不处在k空间的相同点上的半导体材料称为间接带隙半导体.Ge、Si和GaP等是间接带隙半导体.附图绘出了硅的能带结构图,可见Si的价带顶发生在k空间的原点,导带底发生在k空间[100]方向上,由晶体对称性可知,在6个等价的〈100〉方... [详细]

《固体物理学大辞典》 字数(324)

导带底和价带顶处在k空间同一点的半导体材料称为直接带隙半导体.许多Ⅲ-Ⅴ族(如InP,GaAs等)和Ⅱ-Ⅵ族(如ZnSe,CdTe,HgTe等)化合物是直接带隙半导体.图中示出GaAs的能带结构示意图.可见GaAs的导带底和价带顶都处在k空间原点Γ点处(严格地说... [详细]

《固体物理学大辞典》 字数(305)

multi-bandgap aSi solar cell... [详细]

《新英汉·汉英电力工程技术词典》 字数(41)

带隙电池(wide gap cell)不但可以制备性能更好的单结电池,还可以形成叠层电池的顶电池。如果将单结电池的带隙提高到约1.4eV,转换效率将接近带隙/转换效率关系的理论最大值[151]。因为宽带隙电池的电流密度减小了,可以允许透明导电氧化... [详细]

《薄膜太阳能电池》 字数(977)

金属和半导体中的电传导是现代电子技术中相当重要的课题。现代电子技术是以半导体,如硅和砷化镓为基础的,现在对这些重要物质的电子导电行为已经有了进一步的理解。固体的能带理论是基于这样一种假设:电子的行为可被认为是在平均电势U中一... [详细]

《纳米物理与纳米技术》 字数(3287)

GaxI1-xAsyP1-y大容量的光纤通讯干线系统中用到的半导体激光器,以“压应变分反馈量子阱激光器”(DFB-MQW-LD)性能最佳,MQW-LD用到的外延晶片是用MOCVD技术制备的,由于制备过程中的太多非可控因素,很难有令人满意的产品合格率,所以有必要对... [详细]

《无机非金属材料图谱手册》 字数(1438)