全部 学问词条 学问文献 低工作电压 相关学问

接触网的标称电压应为25 kV,长期最高电压应为27.5 kV,短时最高电压应为29 kV,设计最低工作电压应为20 kV。对于时速200 km的客货共线电气化铁路,在供电系统非正常情况下,接触网的设计最低工作电压不得低于19 kV。这些要求同第四章开头语介... [详细]

《交流电气化铁道牵引供电系统》 字数(305)

松下电器产业公司研制了一种新的硅量子元件.这种元件是面向超低工作电压、超低电能消耗存储器件而开发的,以绝缘膜中的隧道现象作为工作原理.该元件与以往的隧道二极管相比,其特点是...[详细]

《光机电信息》2000年01期 下载次数(8) | 被引次数(0)

随着薄膜晶体管(Thin-film transistor,TFT)在各类新兴电子产品中得到广泛应用,作为各类电子设备的关键组件,其工作电压和稳定性面临着巨大挑战。为了满足未来高度集成化、功能复杂的应用场合,实现其低工作电压和高稳定性就变得异常重要。我们在150 mm×150 mm...[详细]

《发光学报》2020年04期 下载次数(214) | 被引次数(3)

便携式产品为了减轻重量及缩小体积,在设计上尽量减少电池的数量。若便携式电路工作电压高于电池电压时,往往采用升压式充电泵或升压式DC/D...[详细]

《今日电子》2007年04期 下载次数(101) | 被引次数(3)

提出了使透射式与反射式液晶显示器的工作电压降低到约3...[详细]

《现代显示》1990年20期 下载次数(43) | 被引次数(0)

MAX9100/9101是MAXIM公司新近推出的一种超低工作电压(单电源1V)、低功耗、小尺寸封装的电压比较器。该器件主要特点有:工作电压范围...[详细]

《电子世界》2001年05期 下载次数(87) | 被引次数(1)

以高掺杂Si单晶片作为衬底且充当栅电极,采用磁控溅射法在硅片上沉积HfTiO薄膜作为栅介质层,聚三己基噻吩(P3HT)薄膜作为半导体活性层,金属Au作为源、漏电极,并采用十八烷基三氯硅烷(OTS)对栅介质层表面修饰,在空气环境下成功地制备出聚合物...[详细]

《物理学报》2010年11期 下载次数(132) | 被引次数(2)

经过多年的发展,有机场效应晶体管(Organic Field-Effect Transistors,OFETs)凭借其优于无机晶体管的廉价、柔性、透明、可溶液加工等特点,在柔性可拉伸设备中具有重要地位,已经获得实际应用。目前有机场效应晶体管的研究主要集中在迁移率的提升上,特别是材...[详细]

南京大学 硕士论文 2021年 下载次数(27) | 被引次数(0)

研究闪存(NOR)的读取原理,并针对读取失...[详细]

《苏州大学学报(工科版)》2007年06期 下载次数(59) | 被引次数(2)

近十年来,纳米线晶体管备受关注与研究。传统的纳米线晶体管一般采用热氧化SiO_2作为栅介质材料,热氧化SiO_2栅介质常数(3.9)比较小,栅电极与沟道之间的耦合作用比较弱,因此器件的工作电压大部分都高于10V,较高的工作电压其功耗一般都比较大。这成为便携式纳米级电子应用的一个障...[详细]

湖南大学 博士论文 2013年 下载次数(289) | 被引次数(1)