最高工作频率１２ＧＨｚ的预标记ＧａＡｓ ＩＣ据杂志１９９３年第５７６期报道，ＲＩ４１４０４是最高频率为...[详细]
《固体电子学研究与进展》1940年10期
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瑞萨科技发布了具有40MHz最高工作频率的H8SX/1544F32位CISC(复杂指令集计算机)微控制器。该器件嵌入了一个汽车局...[详细]
《电子与电脑》2005年08期
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近年来,随着人们对高质量、大数据容量通信需求的提高和5G时代的到来,应用于Ku、K和Ka波段的通信技术成为了业界研究的热点。在射频收发机系统中,锁相环(Phase Locked Loop,PLL)频率综合器是最为关键的模块之一,它为收发机提供频率精确、稳定度高的本地振荡信号,其性...[详细]
东南大学 硕士论文 2018年
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据《电子材料》1989年第12期报道,日本索尼公司研制成高速高集成度的GaAs IC,约集成400个器件,工作频率为12GH...[详细]
《固体电子学研究与进展》1990年02期
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本文就如何提高前置分频器的最高工作频率进行了系统的分析和设计。并介绍一种五单元第三类编码方式的÷10/11逻辑,此逻辑的特点是在脉...[详细]
《无线电通信技术》1983年11期
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针对激振系统中螺纹插装平衡阀工作频率与激振器频率不同步的问题,对激振系统中平衡阀的响应特性进行研究,建立螺纹插装平衡阀的AMESim仿真模型,得到控制口阻尼孔直径、调压弹簧刚度和阀口锥度对激振系统中平衡阀最高工作频率、阀口开度以及通流能力的影响。研究结果表明...[详细]
《工程研究-跨学科视野中的工程》2018年02期
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介绍了一种超高速、低功耗÷8静态分频器。该电路采用0.35μm BiCMOS工艺制作,晶体管fT达21 GHz(Vce=1 V)。该...[详细]
《微电子学》2006年03期
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介绍了一种改进型的超高速、低功耗双模预置分频器(÷64/65、÷128/129)。该预置分频器采用0.35μm BiCMOS工艺制作,在3.5 V电源电...[详细]
《微电子学》2006年05期
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本文介绍了动态分频器的基本原理；详细叙述了...[详细]
《微电子学》1940年40期
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通过对应变波的传播过程分析,研究了FBG(F iber B ragg G rating)应变传感器的动态特性,给出了应变波传递到裸FBG上的滞...[详细]
《振动与冲击》2006年03期
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